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要形成較厚sio2膜,需要較長的氧化時間。sio2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過sio2膜到達(dá)硅表面的o2及oh基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時,因在于oh基sio2膜中的擴(kuò)散系數(shù)比o2的大。氧化反應(yīng),si 表面向深層移動,距離為sio2膜厚的0.44倍。
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不同厚度的sio2膜 整張8寸藍(lán)膜晶圓,去除后的si表面的-也不同。sio2膜為透明,通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm,如果預(yù)告知道是幾次干涉,就能正確估計。對其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式計算出(dsio2)/(dox)=(nox)/(nsio2)。
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