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作為 eprom（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和eeprom（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問世的。像eeprom存儲(chǔ)器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù)；保存新數(shù)據(jù)閃存無需擦除整個(gè)存儲(chǔ)陣列。像eprom存儲(chǔ)器一樣，閃存陣列的架構(gòu)是每單元一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，使芯片廠商能夠制造出成本效益和存儲(chǔ)密度更高的存儲(chǔ)器。首先，閃存受益于pc機(jī)市場(chǎng)的飛速增長(zhǎng)。在pc時(shí)代-開始時(shí)，易失性存儲(chǔ)器dram (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和sram (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 雖然固有數(shù)據(jù)易失性的缺點(diǎn)，但仍然是兩個(gè)重要的存儲(chǔ)器。隨著設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的進(jìn)步提高了閃存技術(shù)的密度和可用性 tf卡，作為對(duì)現(xiàn)有的 sram和 dram子系統(tǒng)的一種補(bǔ)充，閃存斷電保留數(shù)據(jù)和高速度讀取的性能加快了其在市場(chǎng)上的推廣應(yīng)用。因?yàn)楣牡秃头且资缘膬?yōu)點(diǎn)，閃存被證明是適合便攜應(yīng)用發(fā)展的非易失性存儲(chǔ)器深圳tf卡，因此加快了移動(dòng)時(shí)代的到來。早出現(xiàn)的閃存是以代碼執(zhí)行為主要應(yīng)用的nor閃存。此后又出現(xiàn)了另外一種叫做nand的閃存，隨著閃存的每位成本降低，完整的存儲(chǔ)解決方案開始從硬盤（ hdd）開始向固態(tài)存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)換，從而推動(dòng)了今天的移動(dòng)多媒體應(yīng)用的發(fā)展。（晨歌電子）

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