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周邊刻蝕：擴(kuò)散時在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。

除背面pn+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面pn+結(jié)。

制作上下電極：用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。

制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有mgf2 ，sio2 ，al2o3 ，sio ，si3n4 ，tio2 ，ta2o5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、pecvd法或噴涂法等。