耀坤科技(圖)、意法微電子、南京意法

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一、場效應管工作原理

　　場效應晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而fet僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的-競爭者。

    場效應管的分類

　　場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（jfet）因有兩個pn結而得名，絕緣柵型場效應管（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用為廣泛的是mos場效應管，簡稱mos管（即金屬-氧化物-半導體場效應管mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效應管，以及近剛問世的πmos場效應管、vmos功率模塊等。

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