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周邊刻蝕:擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層,會使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。
除背面pn+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面pn+結(jié)。
制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有mgf2 ,sio2 ,al2o3 ,sio ,si3n4 ,tio2 ,ta2o5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,濺射法、印刷法、pecvd法或噴涂法等。
美國倫斯勒理工學(xué)院研究人員2008年開發(fā)出一種新型涂層,將其覆蓋在太陽能電池板上能使后者的陽光吸收率提高到96.2%,而普通太陽能電池板的陽光吸收率僅為70%左右。
新涂層主要解決了兩個技術(shù)難題,一是幫助太陽能電池板吸收幾乎全部的太陽光譜,二是使太陽能電池板吸收來自角度的太陽光,從而提高了太陽能電池板吸收太陽光的效率。
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