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分子束外延(mbe)是利用分子在真空(10-10torr以下)的環(huán)境下，以直線行進(jìn)不與其他分子碰撞的情況下前進(jìn)到基板之上，形成致密的高純度鍍層。分子束外延(mbe)的分子源需要根據(jù)不同的材料特性以及制程需求來(lái)進(jìn)行選擇。

   系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：真空鍍膜機(jī)分子束外延(mbe)(molecular beam epitaxy )的成長(zhǎng)過(guò)程 真空鍍膜設(shè)備，如果控制-度 鍍膜玻璃，可以達(dá)到單原子層成長(zhǎng)，因此可以輕易地控制，成出超晶格結(jié)構(gòu)。

其成膜溫度低能而有效減少缺陷，成長(zhǎng)出高薄膜。

     與之相比，分子束外延的缺點(diǎn)是膜厚成長(zhǎng)緩慢，鍍膜均勻度較難掌握 鍍膜是什么，需要很干凈的真空環(huán)境-鍍膜。

高頻電源一端接地，一端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負(fù)半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負(fù)電 鍍膜，在達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，靶處于負(fù)的偏置電位，從而使正離子對(duì)靶的濺射持續(xù)進(jìn)行。
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