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tcr愈低，表示-阻-溫度-化愈小，阻值愈穩(wěn)定，厚膜材料的tcr約為200~300 ppm/k之-(銅約為4000 ppm/k)。由-厚膜膠必須含有一定成份的玻璃，因此tcr的控制相當(dāng)不容易，目前的厚膜-阻的特性己相當(dāng)固定，不易有明-的改進(jìn)空-。相-地，薄膜-阻是利用半導(dǎo)-的原理，以物理的-相沈積-(physical vapour deposition，pvd)，包括濺鍍(sputtering deposition)、蒸鍍(evaporation deposition)等方式，--阻材料被覆-氧化鋁基板上，因此材料所-擇-得很有-性，目前常用的nicr，nicu 芯片電阻阻值精度，tan…等材料。由-薄膜-程可獲得之材料沒(méi)有混-其他如玻璃等--，因此tcr可控制在50 ppm/k以下，甚至趨近0 ppm/k。除此之外，由--阻-可利用黃光微影(lithography)的方式-作不同的-路圖案(pattern)，且-徑的控制非常精確，因此芯片電阻，阻值範(fàn)圍可以做的很廣芯片電阻阻值的識(shí)別，且在某些阻值範(fàn)圍甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步驟。

利用半導(dǎo)--似等級(jí)的設(shè)-來(lái)生-薄膜-阻，在成品特性擁有-多厚膜可不及的優(yōu)-，但因?yàn)槌杀救愿撸虼宋茨軓V泛應(yīng)用。目前晶片-阻市埸仍由厚膜-阻佔(zhàn)絕大部份。近由-in-line全自-濺鍍?cè)O(shè)-成本大幅降低，加上微影-程改良，薄膜-阻成本在1~2年內(nèi)-降低至接近厚膜-阻的水-。

　　3位數(shù)字表示法:這種表示方法前兩位數(shù)字代表電阻值的有效數(shù)字芯片電阻阻值對(duì)照表，第3位數(shù)字表示在有效數(shù)字后面應(yīng)添加”0”的個(gè)數(shù).當(dāng)電阻小于10ω時(shí)，在代碼中用r表示電阻值小數(shù)點(diǎn)的位置，這種表示法通常用有阻值誤差為5%電阻系列中.比如:330表示33ω，而不是330ω;221表示220ω;683表示68000ω即68kω;105表示1mω;6r2表示602ω

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