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downgrade cmos image sensor wafer；顯然，人們?nèi)绱?cmos圖像轉(zhuǎn)換器的成長前景是基于這樣一個(gè)事實(shí)，即：與壟斷該領(lǐng)域長達(dá)30多年的ccd技術(shù)相比，它能夠-地滿足用戶對(duì)各種應(yīng)用中新型圖像傳感器不斷提升的品質(zhì)要求，如靈活的圖像捕獲、更高的靈敏度、更寬的動(dòng)態(tài)范圍、更高的分辨率、-的功耗以及優(yōu)良的系統(tǒng)集成等。此外，cmos圖像轉(zhuǎn)換器還造就了一些迄今為止尚不能以經(jīng)濟(jì)的方式來實(shí)現(xiàn)的新穎應(yīng)用。另外，還有一些有利于cmos傳感器的“軟”標(biāo)準(zhǔn)在起作用，包括：應(yīng)用支持、抗輻射性、快門類型、開窗口和光譜覆蓋率等。不過，這種區(qū)別稍帶幾分任意性，因?yàn)檫@些標(biāo)準(zhǔn)的重要程度將由于應(yīng)用的不同（消費(fèi)、工業(yè)或汽車）而發(fā)生變化。

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噪聲問題是cmos sensor無法躲避的問題 wafer die，由于感光部分結(jié)構(gòu)跟ccd的差異，注定了同樣大小的感光面積下cmos sensor圖像噪聲要比ccd-，但是各個(gè)廠商技術(shù)的差異還是會(huì)噪聲控制上也會(huì)有所不同，這時(shí)只要給個(gè)深色的背景就會(huì)看到了，同樣cmos sensor在低光條件下噪聲問題也比較-，當(dāng)然可以使用一些技術(shù)加以改進(jìn)

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