巴音郭楞芯片-芯片卡回收-振鑫焱估價

3、刻蝕

在擴散工序，采用背靠背的單面擴散方式，硅片的側邊和背面邊緣不可避免地都會擴散上磷原子。當陽光照射，p-n結的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到p-n結的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯電阻�？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了p-n結短路并且造成并聯電阻降低。

濕法刻蝕工藝流程：上片***蝕刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***堿槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反應氧化生成sio2，hf去除sio2�？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為koh；h2so4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動起來，并不參與反應。

干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕。當氣體以等離子體形式存在時，一方面等離子體中的氣體化學活性會變得相對較強，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進行反應，實現刻蝕；另一方面，舊芯片回收，可利用電場對等離子體進行引導和加速，使等離子體具有一定能量，當轟擊硅片的表面時，硅片材料的原子擊出，可以達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。

2　電路板清洗技術

半水清洗技術

半水清洗主要采用-和去離子水，再加上一定量的活性劑、添加劑所組成的清洗劑。該類清洗介于溶劑清洗和水清洗之間。這些清洗劑都屬于-，巴音郭楞芯片，屬于可燃性溶劑，閃點比較高，毒性比較低，使用上比較安全，但是須用水進行漂洗，然后進行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑，既降低了可燃性，又可使漂洗更為容易。半水清洗工藝特點是：

1） 清洗能力比較強，能同時除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力-性較強；

2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質的介質，漂洗一般采用純水；

3） 漂洗后要進行干燥。

該技術不足之處在于廢液和廢水處理是一個較為復雜和尚待解決的問題。