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在晶圓(芯片)制造過程中(見圖1)多次使用cmp工藝。
化學機械拋光過程(見圖2)使用安裝在剛性拋光平盤上的柔性拋光墊,硅片被壓在拋光墊上,在拋光液的作用下進行拋光,拋光液含有化學液(即h2o2)和納米磨料。硬的硅基陶瓷材料由磨料的機械作用拋光,而金屬則由金屬和拋光液內的化學物質之間的化學反應進行拋光,即采用化學與機械方法綜合作用去除多余材料而得到平坦化的高表面。
磨料在粒徑大小可影響到磨粒的壓強及其切入工件的-。一般來說 ,聚氨酯拋光墊,在拋光過程中, 粒徑大的磨粒壓-,機械去除作用較強,材料去除率較高。所以
粒徑較大的磨粒容易在拋光表面產生較大的殘留劃痕甚至殘留裂紋;而粒徑較小的磨?色@得較好的拋光表面。另外在磨粒直徑相同的情況下,球形
磨粒比表面不平的磨粒去除效率更高。
2 ph值調節(jié)劑
拋光液中常常添加一些化學試劑用于調節(jié)拋光液的ph值。以-拋光過程化學反應的進行;瘜W機械拋光拋光液一 般分為酸性和堿性兩大類。
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