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薄膜電容廠家概述薄膜電容
從電極形式-類,薄膜電容器還可以根據(jù)電極形成方式的不同分為金屬箔薄膜電容器和金屬化電容器,cl11電容,而金屬化電容器由于電極厚度基本上可以忽略,cl21電容,因此金屬化電極的薄膜電容器可以得到更小的體積。
薄膜電容器z新的卷繞方式是將電極、介質(zhì)膜卷繞在一個直徑60cm的“圓盤”上,再將卷繞的“電容器”分割成所需要的成品電容器,形成疊片式薄膜電容器。
為了增加電容器的電容量,滌綸電容報價,通常采用將金屬電極軋陳箔與絕緣介質(zhì)薄膜一同卷繞成芯子以盡可能減小體積,這樣就形成了薄膜電容器。薄膜電容器由于介質(zhì)材料的多樣性,使薄膜電容器稱為電容器家族中豐富多彩的一個分支。薄膜電容器可以根據(jù)絕緣介質(zhì)的不同分為紙介質(zhì)、有機介質(zhì)等。紙介質(zhì)是薄膜電容器早的介質(zhì),由于其自身特有的性能,在的有機介質(zhì)大量應(yīng)用的今天,紙介質(zhì)仍具有其應(yīng)用價值。有機介質(zhì)也可以分為聚乙烯、聚、聚四氟乙烯、聚、聚酯、聚-、聚酰、聚砜、聚--、漆膜等。不同的介質(zhì)具有不同的電氣性能,電容,可以根據(jù)不同的應(yīng)用選擇相應(yīng)的介質(zhì)電容器。
溥膜電容廠家講述電容為什么會出現(xiàn)扭曲失效?
對于電容為什么會出現(xiàn)扭曲失效情況?溥膜電容廠家經(jīng)過實驗得出的結(jié)論是:此種-的可能性很多,按大類及表現(xiàn)可以分為兩種:
smt階段導(dǎo)致的失效
當(dāng)進行零件的取放尤其是smt階段零件取放時,取放的定中爪因為磨損、對位不準(zhǔn)確,傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力,會造成很大的壓力或切斷率,繼而形成點。
這些現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫,或2至3個電極間的內(nèi)部;表面一般會沿著強的壓力線及陶瓷位移的方向。
真空檢拾頭導(dǎo)致的損壞或﹐一般會在芯片的表面形成一個圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合。
另一個由吸頭所造成的損環(huán)﹐因拉力而造成的﹐裂縫會由組件中央的一邊伸展到另一邊﹐這些裂縫可能會蔓延至組件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能會令電容器的底部破損。
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