碳化硅板-碳化硅-龍元耐磨材料

碳化硅碳化硅板使用的功率

電爐的爐膛是由被加熱物的碳化硅板尺寸推算而決定，因而硅碳管的尺寸也相應(yīng)確定下來，現(xiàn)舉例說明如下：如被加熱物是70×500mm的石英管（這里的500mm是指石英管的受熱區(qū)，實際上石英管還要長）則硅碳管的規(guī)格可選用90/80×500/100，二爐膛的高鋁管則可選用其內(nèi)徑為100mm，其長度要略長于500mm。碳化硅板使用的功率，硅碳管使用的功率決定于爐子的保溫條件，幾何尺寸及到達(dá)的溫度。對于較好的保溫條件，恒溫后，硅碳管-區(qū)內(nèi)表面的溫度與被加熱物的溫度相差≦50℃。我們可以利用下式先計算硅碳管-部單位表面積的負(fù)荷。t1硅碳管內(nèi)表面溫度°k。t2被加熱物的及管內(nèi)環(huán)境的溫度°k。如被加熱物及管內(nèi)環(huán)境溫度要求達(dá)到1250℃，硅碳管內(nèi)表面溫度計劃用到1300℃，則這時硅碳管單位面積的負(fù)荷為。負(fù)荷密度大則-體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， sic棒的壽命短。因此，碳化硅板表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與sic棒老化速度成正比，與sic棒的壽命成反比。 爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系：使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實際情況下請保持臨界線的1/2—1/3的表面負(fù)荷。在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。

碳化硅四種碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法及特點

碳化硅陶瓷具有-的外部環(huán)境適應(yīng)能力，碳化硅板，能夠滿足防腐環(huán)境或高溫環(huán)境的使用要求，應(yīng)用廣泛。就碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法而言，大致可分為四種。以下是這四種碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法和特點！

1.無壓燒結(jié)

1974年，美國ge公司在高純-sic細(xì)粉中加入少量b和c，采用無壓燒結(jié)工藝，碳化硅管，成功獲得了2020的高密度sic陶瓷。目前，該工藝已成為制備sic陶瓷的主要方法。據(jù)美國ge公司研究人員介紹，致密化的熱力學(xué)條件是晶界能與表面能之比小于1.732。當(dāng)b和c同時加入時，b溶解到sic中，降低晶界能，c降低sic顆粒表面的二氧化硅，提高表面能。

以-碳化硅為原料，碳化硅，同時加入硼和碳，也可以實現(xiàn)碳化硅的致密燒結(jié)。

2.熱壓燒結(jié)

20世紀(jì)50年代中期，美國諾頓公司開始研究硼、鎳、鉻、鐵、鋁等金屬添加劑對碳化硅熱壓燒結(jié)的影響。實驗表明，鋁和鐵是促進(jìn)熱壓碳化硅致密化的有效添加劑。

3.熱等靜壓燒結(jié)

近年來，為了進(jìn)一步提高碳化硅陶瓷的力學(xué)性能，研究人員對碳化硅陶瓷的熱等靜壓工藝進(jìn)行了研究。研究人員以硼和碳為添加劑，采用熱等靜壓燒結(jié)工藝，在1900獲得高密度碳化硅燒結(jié)體。

4.反應(yīng)燒結(jié)：

碳化硅的反應(yīng)燒結(jié)法早在美國就已經(jīng)研究成功。反應(yīng)燒結(jié)的工藝過程是：首先將-sic粉末和石墨粉按比例混合均勻，然后通過干壓、擠壓或灌漿制成多孔體。

以上是四種碳化硅陶瓷的燒結(jié)方法和特點。不難發(fā)現(xiàn)它們有各自不同的性質(zhì)和特點。在選擇時，應(yīng)根據(jù)其不同的性能選擇合適的燒結(jié)方法，以滿足使用要求，達(dá)到理想的效果。