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led電子顯示屏在生活中的應(yīng)用越來越廣,對于大屏顯示的技術(shù)也各有提高,目前,液晶顯示憑其-的顯示效果被十分-,但是在大屏顯示中的拼接技術(shù)還沒有達(dá)到無縫的水平,而led小間距成功彌補(bǔ)了這一缺點(diǎn),成功興起。在液晶大屏無縫拼接技術(shù)成熟的時(shí)期,led電子顯示屏一躍而起,強(qiáng)占大屏顯示市場! ed電子顯示屏技術(shù)問題解決
首先是高光效:對于led電子顯示屏的光效可以說是節(jié)能效果重要指標(biāo),目前我國在光效效果上還有待加強(qiáng),要真正要做到高光效,要從產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)上解決相關(guān)的技術(shù)問題,那么如何實(shí)現(xiàn)高光效呢?本文將具體爭對外延、芯片,封裝,燈具等幾個(gè)環(huán)節(jié)要解決的技術(shù)問題探討。
1.提高內(nèi)效率和外效率。
2.提高封裝出光效率及降低結(jié)溫。
3.提高燈具的取光效率。
其次是從高顯色性來看:led電子顯示屏光色很多,led芯片報(bào)價(jià),包括色溫、顯色性、光色保真度、光色自然度、色調(diào)識別度、視覺舒適度等。這里我們目前只討論解決色溫和顯色性問題。制作高顯色性led顯示屏光源,會損失較多的光效,led芯片價(jià)格,所以在設(shè)計(jì)時(shí)要照顧這兩方面因素。當(dāng)然要提高高顯色性還必須考慮rgb三基色組合來實(shí)現(xiàn)。這邊我也其三種方法:
1.多基色熒光粉。
2.rgb多芯片組合。
3.熒光粉加芯片。
led 外延片工藝流程如下:
襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)- 緩沖層生長- n型gan 層生長- 多量i子阱發(fā)光層生- p 型gan 層生長- 退火- 檢測(光熒光、x 射線) - 外延片;
外延片- 設(shè)計(jì)、加工掩模版- 光刻- 離子刻蝕- n 型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - p 型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - 劃片- 芯片分檢、分級
具體介紹如下:
固定:將單晶硅棒固定在加工臺上。
切片:將單晶硅棒切成具有精i確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng),使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。
倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破i裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
分檔檢測:為-硅片的規(guī)格和,對其進(jìn)行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。
研磨:用磨片i劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效-單晶硅片的曲度、平坦度與平行度,達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片i劑。
清洗:通過有機(jī)i溶劑的溶解作用,結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)i溶劑。
rca清洗:通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。
在led芯片制作過程中,led芯片多少錢,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來,這些就是后面的散晶,此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片。
剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測試,對于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來做led方片,也就不做任何分檢了,直接賣給客戶了,也就是目前市場上的led大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。
led制作流程分為兩大部分。
首先在襯低上制作氮化家(gan)基的外延片,浙江led芯片,這個(gè)過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。
準(zhǔn)備好制作gan基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后,按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底,還有g(shù)aas、aln、zno等材料。
mocvd是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及ⅲ族的有機(jī)金屬和ⅴ族的nh3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng),將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。
通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例,從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。
mocvd外延爐是制作led外延片蕞常用的設(shè)備。
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