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如反激一次側(cè)的高壓mos的d、s之間距離，依據(jù)公式500v對應(yīng)0.85mm，ds電壓在700v以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果to220封裝的mos的d腳串了磁珠，需要考慮t腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，usb適配器價格，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證vcc的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試vcc波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看vcc差異有多大關(guān)于vcc圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部pcb加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。
有的時候只差2、3db的時候換一個不同品牌會有-。 emi-技巧之二 40.vcc上的整流二極管，這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例，一款過了emi的產(chǎn)品，余量都有4db以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢emi發(fā)現(xiàn)輻射超1db左右，-率有50%，經(jīng)過層層-、一個個元件對換。終發(fā)現(xiàn)是vcc上的整流二極管引發(fā)的問題，usb適配器廠家，更換之前的管子（留低樣品），余量有4db。對-管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。
35.傳導(dǎo)-，分段處理經(jīng)驗，清遠usb適配器，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射-，分段處理經(jīng)驗，如下圖，適合一些新手-，提供一個參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚emi產(chǎn)生的機理。 37.關(guān)于pcb碰到的問題，如圖，為什么99se畫板覆銅填充的時候填不滿這個位置？像是有死銅一樣d1這個元件有個文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對輻射，當(dāng)傳導(dǎo)-的時候，有可能你的輻射會差，這個時候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30m下降的位置，這樣-輻射會快很多。 emi-技巧之一 39.測試輻射的時候，多帶點不同品牌的mos、肖特基。
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聯(lián)系我們時請一定說明是在100招商網(wǎng)上看到的此信息，謝謝！
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