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厚膜電路與薄膜電路的區(qū)別有兩點(diǎn):其一是膜厚的區(qū)別,厚膜電路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多處于小于1μm;其二是制造工藝的區(qū)別,厚膜電路一般采用絲網(wǎng)印刷工藝,薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。
薄膜集成電路是將整個(gè)電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜,并通過(guò)真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件,即晶體管,有兩種材料結(jié)構(gòu)形式:一種是薄膜場(chǎng)效應(yīng)或-晶體管,另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實(shí)用化的薄膜集成電路采用混合工藝,即用薄膜技術(shù)在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無(wú)源元件和電路元件間的連線,再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不使用薄膜工藝制作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點(diǎn)倒裝焊接等方式,就可以組裝成一塊完整的集成電路
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