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一般定義半導(dǎo)體的另一種名稱，定義為導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與電介質(zhì)之間的物質(zhì)；更準(zhǔn)確的定義是在零度是無任何導(dǎo)電能力，但導(dǎo)電特性隨溫度升高呈總體上升，且對光照等外部條件和材料的純度與結(jié)構(gòu)完整性等內(nèi)部條件十分敏感的物質(zhì)。定義通過（高度）雜質(zhì)補(bǔ)償，使禁帶較寬的半導(dǎo)體材料具有與絕緣體相近的電阻率。同一塊半絕緣體，它的導(dǎo)電能力，在不同的情況下會有非常大的差異。

本征半導(dǎo)體指純半導(dǎo)體，即其導(dǎo)電性決定于其內(nèi)在的導(dǎo)電性質(zhì)。如純硅及純鍺都是本征半導(dǎo)體材料。本征半導(dǎo)體材料在元素周期表中屬于第四主族元素，由高方向性共價鍵組成，具有立方金剛石結(jié)構(gòu)。由sp3雜化軌道鍵將原子結(jié)合在一起，形成共用電子對，即共價鍵。因此在這樣的結(jié)構(gòu)中每一個硅或鍺原子有四個價電子。 [3]

uv-c

紫外線自然地存在于大自然中，是肉眼所看不到的一種光線，而uv-c主要指紫外線輻射，由于它的穿透力弱，臭氧層可以濾除掉有害于生物的uv-c射線。

半絕緣體的導(dǎo)電能力，隨著摻入微量的有用雜質(zhì)而有明顯地改變。例如：純鍺中摻入一億分之一的雜質(zhì)，導(dǎo)電能力增加十二倍。人們正是利用半絕緣體的這個特性，gb端子，制成了各種晶體管，從而使半絕緣體一躍成為電子工業(yè)的主要材料。 [2] 與半導(dǎo)體的區(qū)別編輯半絕緣體是以本征半導(dǎo)體為基礎(chǔ)，通過摻雜雜質(zhì)原子成為補(bǔ)償半導(dǎo)體形成的，其導(dǎo)電性能與本征半導(dǎo)體有著-差別，因此不能簡單認(rèn)為半導(dǎo)體等同于半絕緣體。

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