塑膠鍍膜設(shè)備-鍍膜設(shè)備-拉奇納米鍍膜設(shè)備

（1）化學(xué)氣相沉積（cvd）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，手機(jī)鍍膜設(shè)備，中溫cvd例如mocvd（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），玻璃鍍膜設(shè)備，反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。

“輔助”cvd的工藝較多，主要有：

電子輔助cvd（eacvd）（也稱為電子束輔助cvd，電子增強(qiáng)cvd，塑膠鍍膜設(shè)備，或電子束-cvd），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。

激光輔助cvd（lacvd)，也稱為激光cvd或光子輔助cvd，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。

熱絲cvd，也稱為熱cvd，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。

金屬有機(jī)化合物cvd（mocvd），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。

物-相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：

(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

認(rèn)識(shí)pvd物-相沉積技術(shù)

物-相沉積技術(shù)工藝過程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境-，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤(rùn)滑、超導(dǎo)等特性的膜層。